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國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)格局

這幾年，我國(guó)紫外UVLED技術(shù)應(yīng)用發(fā)展相對(duì)迅速，除了一些科研院所在紫外LED取得了豐碩的研究成果外，國(guó)內(nèi)的LED企業(yè)也在紫外LED領(lǐng)域開(kāi)拓出屬于自己的市場(chǎng)。紫外LED芯片發(fā)光的波長(zhǎng)越短，技術(shù)難度就越大，深紫外LED芯片領(lǐng)域更是具有一片廣大的前景。

未來(lái)研究方向

根據(jù)紫外LED芯片的研究現(xiàn)狀，預(yù)計(jì)其未來(lái)研究發(fā)展方向有如下幾個(gè)方面：研究高質(zhì)量的深紫外材料外延生長(zhǎng)技術(shù)；高Al組分AlGaN材料生長(zhǎng)技術(shù)和摻雜技術(shù)；深紫外LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì);波長(zhǎng)300nm以下LED器件芯片制作工藝和封裝技術(shù)；面向醫(yī)療、殺菌和凈化應(yīng)用領(lǐng)域的紫外光源模塊開(kāi)發(fā)和應(yīng)用；近紫外LED激發(fā)熒光粉制備高性能白光LED。

未來(lái)技術(shù)問(wèn)題

未來(lái)需解決的技術(shù)問(wèn)題是藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN模板的MOCVD外延生長(zhǎng)；AlGaN量子阱的發(fā)光機(jī)制研究與結(jié)構(gòu)控制技術(shù)；P型高Al組分AlGaN摻雜技術(shù)研究；低歐姆接觸電極的制作；電流擁堵效應(yīng)的解決；紫外LED出光效率提高技術(shù)；熒光材料的高效合成；耐熱抗紫外封裝材料的研究；深紫外LED的器件工藝和封裝技術(shù)；深紫外LED的應(yīng)用模塊研制等。在國(guó)內(nèi)外眾多紫外LED研究工作者的共同努力下，相信紫外LED芯片的應(yīng)用前景將一片光明。

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TypeInfo: UV LED行業(yè)動(dòng)態(tài)
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